IGBT的首要技术参数之最大额定电流的界说：在必定的壳温条件下，能够接连经过集电极的最大电流（直流）。咱们有必要重视的是：最大额定电流指的是直流，也就是说，不能有开关动作，并且，栅电压为15V，即IGBT在杰出导通的情况下。此刻结温不高于标准书中的最高值。

　　而实践应用时总是有开关动作的，开关时的瞬时功耗远远大于导通时的瞬时功耗，一般正常作业时，导通时的峰值电流应小于其最大额定电流，应该小多少为合理呢？这个问题不能混为一谈。这与所选的IGBT的品牌，开关速度，作业频率，母线电压，外壳温度等等多种要素有关。最好向原生产商的技术支持咨询。

　　首要来说MOSFET，提一个根底性问题，驱动MOSFET导通的最佳栅电ห้องสมุดไป่ตู้是多少伏？绝大多数人的答复是：15V。这个答案不能说错，可是，这活干得太粗。MOSFET的导通电阻是随栅电压的进步而下降，当栅电压到达必定值时，导通电阻就根本不会再降了，暂时称之为“充沛导通”，一般以为这个电压是低于15V的。

　　实践上，不同耐压的MOSFET到达充沛导通的栅电压是不同的。根本规律是：耐压越高的MOSFET，到达充沛导通的栅电压越低;耐压越低的MOSFET，到达充沛导通的栅电压越高。我查阅了各种耐压MOSFET的VGS-RDS曲线V的MOSFET到达充沛导通的栅电压》16V;耐压500V的MOSFET到达充沛导通的栅电压》12V;耐压1000V的MOSFET到达充沛导通的栅电压》8V。因而，主张：耐压200V及以下的MOSFET栅驱动电压=17-18V;耐压500V的MOSFET栅驱动电压=15V;耐压1000V的MOSFET栅驱动电压=12V。

　　说了MOSFET的驱动电压，再来说说IGBT的驱动电压，IGBT的驱动电压为15±1.5V，与IGBT的耐压无关。驱动电压低于13.5V，IGBT的饱满压降会显着增高;高于16.5V，既没有必要，还可能带来晦气的影响。

　　某些用IGBT作为主功率器材的变流器，IGBT的输出直接与外部负载衔接，例如驱动电机调速的变频器，司服体系等等。一旦负载短路，就会形成IGBT极为严峻的过流，此刻IGBT会有多大的电流呢？大约是IGBT额定电流的几倍到十几倍，过流的严峻程度与IGBT的栅驱动电压相关，即，当IGBT的驱动电压在14V以下时，其短路电流就较小，约是其额定电流的几倍;当IGBT的驱动电压在16V以上时，其短路电流就很大，约是其额定电流的十几倍，明显，这么大的短路电流，对IGBT极具破坏性。尽管，IGBT声称有10微秒的抗短路才能，十几倍的额定电流也是难于接受的，我的经历是，最多只能接受一次，第2次就玩完。因而，主张，假如有条件严格控制IGBT的驱动电压的话，此类变流器IGBT的栅电压为14.5-15.5V为宜。

　　艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购渠道，正品现货、优势价格、快捷配送，是一站式收购的工业品商城！具有10年工业用品电子商务范畴研讨，以强壮的信息通道建造的优势，以及依托线下交易交易市场在工业用品职业上游供应链的整合才能，为广阔的用户供给了传感器、图尔克传感器、变频器、断路器、继电器、PLC、工控机、仪器仪表、气缸、五金工具、伺服电机、劳保用品等一系列自动化的工控产品。